Вредоносное ПО (malware) - это назойливые или опасные программы,...
P-n переходом или электронно-дырочным переходом называется контакт двух полупроводников с электронной и дырочной проводимостью. Эти переходы играют важную роль в современной электронике. Обладая односторонней проводимостью p-n переходы используются для выпрямления переменного тока в качестве самостоятельных изделий(диоды), позволяют создавать приборы для управления электрическим током (транзисторы), а так же используются в интегральных микросхемах для изоляции ее элементов.
На рис.4.3. приведена схема p-n перехода.
Рис.4.3. Схема p-n перехода: распределение объемного заряда (а) и примесей (б), зонная диаграмма в полупроводниках n и p –типа (в) и в p-n переходе (г).
Объемные заряды, образующиеся в области p-n перехода, создают потенциальный барьер для прохождения подвижных носителей. Управляя величиной барьера можно изменять величину тока в электрической цепи.
Возникающая контактная разность потенциалов (величина потенциального барьера) определяется из выражения
где p p , n n – равновесная концентрация основных носителей;
n i – концентрация собственных носителей.
Электрическое поле в области объемного заряда (d=d p +d n) определяется законом распределения этих зарядов и находиться из решения уравнения Пуассона.
Для d p ≤x ≤0 (4.9)
для 0 ≤x ≤d n (4.10)
Учитывая, что E=dφ/dx можно получить выражение для φ(x)
при 0≤x≤d n ; (4.11)
при d p ≤x≤0 (4.12)
Толщина области объемного заряда (d=d p +d n)
где U – приложенное внешнее напряжение.
Для несимметричного перехода, когда N D >>N A уравнение упрощается
При обратном включении перехода (- к p - области, + к n - области) слой объемного заряда можно рассматривать как некий конденсатор, обладающий емкостью (С б), называемой барьерной.
Вольт-амперная характеристика. Рассмотрим вольт-амперную характеристику р-n-перехода. Как и в случае контакта металл - полупроводник, вид вольт-амперной характеристики существенно зависит от структуры р-n-перехода, точнее говоря, от его толщины. Так, если толщина р-n-перехода меньше длины свободного пробега носителей (тонкий переход), то электроны или дырки пролетают через переход, не испытывая столкновений с решеткой. В случае же толстого перехода, когда его ширина значительно превышает длину свободного пробега, перенос носителей заряда имеет диффузионный характер. Однако поскольку в отличие от контакта металл - полупроводник в p-n-переходе перенос тока осуществляется неосновными носителями заряда, то главным является не характер переноса, а интенсивность генерации и рекомбинации носителей в области р-n-перехода. В случае тонкого перехода рекомбинация в слое объемного заряда незначительна. Напротив, в толстом р-n-переходе значительная часть неосновных носителей рекомбинирует, что должно заметно сказаться на виде вольт-амперной характеристики.
Рассмотрим вначале вольт-амперную характеристику тонкого перехода. Тонкий переход носители заряда проходят, не успевая рекомбинировать, поэтому как дырочные токи, так и электронные токи по обе стороны р-я-перехода равны. Дырочный ток на границе слоя объемного заряда со стороны электронного полупроводника при x = -L n полностью определяется диффузионной составляющей, поскольку в этой точке напряженность электрического поля равна нулю.
Плотность дырочного тока в этом случае
Аналогичное выражение можно получить для плотности электронного тока:
Полный ток, протекающий через р-n-переход, можно рассчитать в любом сечении (S) образца. Проще всего его вычислить на границе р-n-перехода,
I =S(J p + J p) (4.18)
Из полученной формулы видно, что в прямом направлении ток возрастает по экспоненциальному закону с ростом напряжения, а в запорном направлении стремится к току насыщения I S , обусловленному тепловой генерацией неосновных носителей на границе p-n перехода и не зависящему от внешнего напряжения:
Если р-л-переход является резко несимметричным, то одно из слагаемых в формуле (4.20) будет исчезающе малым. Действительно, пусть, например, n-область легирована значительно сильнее, чем р-область. Тогда в соответствии с законом действующих масс имеем p no <
В общем случае степень асимметрии р-n перехода характеризуется параметром, получившим название коэффициента инжекции . Коэффициент инжекции равен отношению большей составляющей тока к полному току. В случае, когда n n >>p p коэффициент инжекции равен
Рассмотрим далее вольт-амперную характеристику толстого перехода на примере так называемого p-i-n-диода. Структура такого диода представляет собой два слоя n- и р-типа, разделенных высокоомным слоем собственной проводимости толщиной d. В таком диоде уже нельзя пренебрегать процессами генерации и рекомбинации внутри p-n перехода. В случае, когда внешняя разность потенциалов включена в запорном направлении, в промежуточном i-слое идет генерация носителей заряда со скоростью n i /τ i . При напряжении, включенном в прямом направлении, в этом слое идет рекомбинация инжектируемых носителей и плотность тока, связанная с генерацией и рекомбинацией носителей в промежуточном слое толщиной d равна
где τ i – время жизни собственных носителей;
n i – собственная концентрация носителей.
Полный ток, протекающий через p-i-n переход, можно рассматривать как сумму тока, рассчитанного без учета генерации и рекомбинации внутри перехода и генерационно-рекомбинационной составляющей:
Полученная формула справедлива не только в случае явно выраженного i-слоя, но и при плавном изменении концентрации примесей в области обычного р-n перехода. В этом случае роль параметра d играет общая ширина р-п- перехода. Из формулы (4.24) следует условие для определения принадлежности данного р – n перехода к категории тонкого или толстого: если третье слагаемое в круглых скобках значительно меньше суммы первых двух, то переход можно считать тонким. В противном случае р-n переход необходимо рассматривать как толстый.
Пробой p-n перехода. С увеличением обратного напряжения на р-n пере-ходе при достижении некоторого значения напряжения U проб начинается резкое увеличение тока через диод, приводящее к пробою. Средняя напряженность электрического поля в области объемного заряда р-n перехода может быть записана как
E=V/d = (q/2εε 0) 1/2 (UN D) 1/2 (4.25)
Так как пробой начинается при достижении определенного (для каждых конкретных условий) значения напряженности электрического поля E проб, то чем больше d (меньше N D), тем при большем напряжении U проб начинается пробой. Очевидно, наибольшее U проб имеет р-i-n переход, так как N D в его базе наименьшая, а ширина области объемного заряда d наибольшая.
Гетеропереходы. В отличие от р-n перехода, образованного изменением концентрации примесей в одном полупроводниковом материале (гомопереход), гетеропереходом называют переход, образованный полупроводниками различной физико-химической природы. Примерами гетеропереходов могут быть переходы германий - кремний, германий -арсенид галлия, арсенид галлия - форсфид галлия и т. д. Для получения гетеропереходов с минимальным количеством дефектов на границе раздела кристаллическая решетка одного полупроводника должна с минимальными нарушениями переходить в кристаллическую решетку другого. В связи с этим полупроводники, используемые для создания гетероперехода, должны иметь близкие значения постоянной решетки и идентичные кристаллические структуры. Наибольший практический интерес представляют в настоящее время гетеропереходы, образованные полупроводниками с различной шириной запрещенной зоны, причем интересными свойствами для полупроводниковых приборов обладают не только гетеропереходы между полупроводниками р- и n-типа, но также и гетеропереходы между полупроводниками с одним типом проводимости: n-n или р-р.
Рассмотрим энергетическую диаграмму гетероперехода между полупроводником n-типа с широкой запрещенной зоной и полупроводником р-типа с узкой запрещенной зоной (рис. 4.4). За начало отсчета (0) принята энергия электрона, находящегося в вакууме. Величина χ в данном случае - истинная работа выхода электрона. из полупроводника в вакуум. Термодинамическая работа выхода обозначена А.
При создании контакта между двумя полупроводниками уровни Ферми выравниваются. Отличия гетероперехода от энергетической диаграммы р-n перехода заключаются в наличии разрывов в зоне проводимости (ΔE C )и в валентной зоне (ΔE V). В зоне. проводимости величина разрыва обусловлена разностью истинных работ выхода электронов из р и n полупроводников:
ΔE C = χ 2 – χ 1 (4.26)
а в валентной зоне, кроме этого, еще и неравенством значений энергий E V .
Поэтому потенциальные барьеры для электронов и дырок будут различными: потенциальный барьер для электронов в зоне проводимости меньше, чем для дырок в валентной зоне. При подаче напряжения в прямом направлении потенциальный барьер для электронов уменьшится и электроны из n -полупро-водника инжектируются в р -полупроводник. Потенциальный барьер для дырок в р -области также уменьшится, но все же останется достаточно большим для того, чтобы инжекции дырок из р -области в n -область практически не было. В этом случае коэффициент инжекции (γ) может быть равным единице.
Рис. 4.4. Энергетическая диаграмма двух полупроводников р- и n-типа с различной шириной запрещенной зоны (а) и р –n гетероперехода (б)
Для достижения лучших параметров прибора эта величина должна быть максимальной. В гомопереходе это достигается более сильным легированием примесями n-области относительно р-области. Однако по этому пути нельзя идти бесконечно, так как, с одной стороны, существует предел растворимости примеси в полупроводнике и, с другой, при сильном легировании полупроводника в него одновременно с примесью вносится множество различных дефектов, которые ухудшают параметры р-n перехода. В этом направлении перспективным является использование гетероперехода.
Если гетеропереход образован полупроводниками с равным количеством примесей (п п =p p ) и для простоты считать, что эффективные массы и другие параметры носителей заряда равны, то можно написать
I p /I n =exp[-(E gn –E g p )/kT] (4.27)
При использовании, например, n-кремния и р-германия E gn –E gp =0,4 эВ. Так как kT/q=0,025 В, то 1 р /1 п = е - 16 , что практически равно нулю, т. е. ток через гетеропереход состоит только из электронов, инжектированных из n- области в р -область. В гомопереходе при этих же условиях I р /I n =:1, т. е. токи электронов и дырки равны.
Таким образом, гетеропереход позволяет осуществлять практически одностороннюю инжекцию носителей заряда. Существенно отметить, что односторонняя ин-жекция сохраняется и при увеличении тока через гетеропереход, тогда как в гомопереходе она нарушается.
Что такое полупроводник и с чем его едят?
Полупроводник
- материал,
без которого не мыслим современный мир
техники и электроники. Полупроводники
проявляют свойства металов и неметаллов
в тех или иных условиях. По значению удельного электрического сопротивления полупроводники занимают промежуточное положение между хорошими проводниками и диэлектриками.
Полупроводник
отличается от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от
наличия в кристаллической решетки
элементов-примесей (примесные элементы)
и концентрации этих элементов, а также
от температуры и воздействия различных видов излучения.
Основное свойство полупроводника
- увеличение электрической проводимости с
увеличением температуры.
Полупроводниками являются вещества, ширина запрещённой зоны которых составляет порядка нескольких электрон-вольт (эВ). Например, алмаз можно отнести к широкозонным полупроводникам, а арсенид индия - к узкозонным.
Ширина запрещённой зоны - это ширина энергетического зазора между дном зоны проводимости и потолком валентной зоны, в котором отсутствуют разрешённые состояния для электрона.
Величина ширины запрещённой зоны имеет важное значение при генерации света в светодиодах и полупроводниковых лазерах
и определяет энергию испускаемых фотонов.
К числу полупроводников относятся многие химические элементы: Si кремний, Ge германий, As мышьяк, Se селен, Te теллур и другие, а также всевозможные сплавы и химические соединения, например: йодид кремния, арсенид галлия, теллурит ртути и др.). В общем почти все неорганические вещества окружающего нас мира являются полупроводниками. Самым распространённым в природе полупроводником является кремний, составляющий по приблизительным подсчетам почти 30 % земной коры.
В зависимости от того, отдаёт ли атом
примесного элемента электрон или захватывает его, примесные атомы называют донорными или акцепторными.
Донорские и акцепторные свойства атома
примесного элемента зависят также того, какой атом кристаллической решётки она замещает, в какую кристаллографическую плоскость встраивается.
Как выше упоминалось, проводниковые
свойства полупроводников сильно зависит от температуры,
а при достижениитемпературы абсолютного нуля
(-273°С) полупроводники имеют свойства диэлектриков.
По виду проводимости полупроводники подразделяют на n-тип и р-тип
Полупроводник n-типа
По виду проводимости полупроводники подразделяют на n-тип и р-тип.
Полупроводник n-типа имеет примесную природу и проводит электрический ток подобно металлам. Примесные элементы, которые добавляют в полупроводники для получения полупроводников n-типа, называются донорными. Термин «n-тип» происходит от слова «negative», обозначающего отрицательный заряд, переносимый свободным электроном.
Теория процесса переноса заряда описывается следующим образом:
В четырёхвалентный Si кремний добавляют
примесный элемент, пятивалентный As
мышьяка. В процессе взаимодействия каждый атом
мышьяка вступает в ковалентную связь с атомами кремния.
Но остается пятый свободный атом мышьяка,
которому нет места в насыщенных валентных связях, и он переходит на дальнюю электронную
орбиту, где для отрыва электрона от атома нужно меньшее количество энергии. Электрон отрывается и превращается в свободный,
способный переносить заряд. Таким образом перенос заряда осуществляется электроном, а не дыркой, то есть данный вид полупроводников проводит электрический ток подобно металлам.
Также сурьмой Sb улучшают свойства одного из самых важных полупроводников – германия
Ge.
Полупроводник p-типа
Полупроводник p-типа, кроме примесной основы, характеризуется дырочной природой проводимости. Примеси, которые добавляют в этом случае, называются акцепторными.
«p-тип» происходит от слова «positive», обозначающего положительный заряд основных носителей.
Например в полупроводник, четырёхвалентный
Si кремний, добавляют небольшое количество атомов трехвалентного
In индия. Индий в нашем случае будет
примесным элементом, атомы которого устанавливает ковалентную связь с тремя соседними атомами кремния.
Но у кремния остается одна свободная связь
в то время, как у атома индия нет валентного электрона, поэтому он захватывает валентный электрон из ковалентной связи между соседними атомами кремния и становится отрицательно заряженным ионом,
образуя так называемую дырку и
соответственно дырочный переход.
По такой же схеме In ндий сообщает Ge германию дырочную проводимость.
Исследуя свойства полупроводниковых элементов и материалов, изучая свойства контакта проводника и полупроводника, экспериментируя в изготовлении полупроводниковых материалов, О.В. Лосев 1920-х годах создал прототип современного светодиода.
Рассмотрим явление прохождения электрического тока через контакт полупроводников p- и n-типов. На следующем рисунке изображен такой контакт.
Левая часть представленного полупроводника содержит акцепторные примеси. Правая часть представленного полупроводника содержит донорные примеси. Соответственно левая часть является полупроводником p-типа, а правая полупроводником n-типа.
Между полупроводниками образуется особенная зона – зона перехода. В ней совсем мало зарядов, тут происходит рекомбинация электронов и дырок.
Контакт полупроводников р- и п- типов
На рисунке электроны представлены кружочками голубого цвета, а дырки – кружочками серого цвета. Контакт двух полупроводников n- и p- типов называют p-n- переходом, или n-p – переходом.
В результате контакта между полупроводниками начинается диффузия . Некоторая часть электронов переходит к дыркам, а некоторая часть дырок переходит на сторону электронов. В результате чего полупроводники заряжаются: n- положительно, а p – отрицательно.
После того, как электрическое поле, которое будет возникать в зоне перехода, начнет препятствовать перемещению электронов и дырок, диффузия прекратится.
Для исследования свойств pn-перехода подключим его в цепь так, как показано на следующей схеме.
Сначала подключим источник питания так, чтобы потенциал на сторону полупроводника p-типа приходился положительный потенциал, а на сторону n-типа отрицательный.
При таком подключении проводимость полупроводника будет велика. Ток через переход будет создаваться основными носителями: из n в p – электронами, а из p в n – дырками.
Сопротивление будет очень маленьким. Такое подключение pn-перехода называется прямым. Теперь изменим полярность подключения источника питания.
Значение силы тока значительно уменьшится, чем в предыдущем случае. Ток в этом случае будет создаваться неосновными носителями, число которых значительно меньше, чем число основных носителей.
Вольт-амперная характеристика
Проводимость в этому случае будет маленькой, а сопротивление большим. Образуется запирающий слой. Такое подключение pn-перехода называется обратным.
При исследовании свойств какого либо элемента, часто строят зависимость силы тока от разности потенциалов. Данный тип зависимости получил в физике название вольт-амперной характеристики. Иногда для удобства записи пишут просто ВАХ.
На следующем графике показаны вольт-амперные характеристики прямого и обратного подключения pn-перехода.
Сплошной линией нарисована вольт-амперная характеристика прямого подключения pn-перехода, а пунктирной – обратного подключения.
На основе свойств pn-перехода сделаны различные радиотехнические элементы, например, диоды.
>>Физика: Электрический ток через контакт полупроводников р- и п-типов
Наиболее интересные явления происходят при контакте полупроводников n
- и р
-типов. Эти явления используются в большинстве полупроводниковых приборов.
На рисунке 16.10 изображена схема полупроводника, правая часть которого содержит донорные примеси и поэтому является полупроводником n
-типа, а левая - акцепторные примеси и представляет собой полупроводник р
-типа; между ними - зона перехода
- зона, обедненная зарядами. В ней происходит рекомбинация электронов и дырок. Электроны изображены голубыми кружочками, дырки - серыми. Контакт двух полупроводников называют р-n
- или n-р
-переходом.
При образовании контакта электроны частично переходят из полупроводника n
-типа в полупроводник р
-типа, а дырки - в обратном направлении. В результате полупроводник n
-типа заряжается положительно, ар
-типа - отрицательно. Диффузия прекращается после того, как электрическое поле , возникающее в зоне перехода, начинает препятствовать дальнейшему перемещению электронов и дырок.
Включим полупроводник с р-n
-переходом в электрическую цепь (рис.16.11
). Подключим сначала батарею так, чтобы потенциал полупроводника р
-типа был положительным, а n
-типа - отрицательным. При этом ток через р-n
-переход создается основными носителями: из области n
в область р
- электронами, а из области р
в область n
- дырками (рис.16.12
).
Вследствие этого проводимость всего образца велика, а сопротивление мало.
Рассмотренный здесь переход и называют прямым
. Зависимость силы тока от разности потенциалов - вольт-амперная характеристика прямого перехода - изображена на рисунке 16.13 сплошной линией.
Изменим теперь полярность подключения батареи. Тогда при той же разности потенциалов сила тока в цепи окажется значительно меньше, чем при прямом переходе. Это обусловлено следующим. Электроны через контакт идут теперь из области р
в область n
, а дырки - из области n
в область р
. Но ведь в полупроводнике р
-типа мало свободных электронов, а в полупроводнике n
-типа мало дырок. Теперь переход через контакт осуществляется неосновными носителями, число которых мало (рис.16.14
). Вследствие этого проводимость образца оказывается незначительной, а сопротивление - большим. Образуется так называемый запирающий слой. Такой переход называют обратным
. Вольт-амперная характеристика обратного перехода изображена на рисунке 16.13 штриховой линией.
Таким образом, р-n
-переход можно использовать для выпрямления электрического тока. Такое устройство называется полупроводниковым диодом.
Полупроводниковые диоды изготовляют из германия, кремния, селена и других веществ.
Рассмотрим, как создают р-n
-переход, используя германий, обладающий проводимостью n
-типа, с небольшой добавкой донорной примеси. Этот переход не удается получить путем механического соединения двух полупроводников с различными типами проводимости, так как при этом получается слишком большой зазор между полупроводниками. Толщина же р-n
-перехода должна быть не больше межатомных расстояний, поэтому в одну из поверхностей образца вплавляют индий. Для создания полупроводникового диода полупроводник с примесью р
-типа, содержащий атомы индия, нагревается до высокой температуры. Пары примеси n
-типа (например, мышьяка) осаждают на поверхность кристалла. Вследствиедиффузии они внедряются в кристалл, и на поверхности кристалла с проводимостью р
-типа образуется область с электронным типом проводимости (рис.16.15
).
Для предотвращения вредных воздействий воздуха и света кристалл германия помещают в герметичный металлический корпус.
Схематическое изображение диода приведено на рисунке 16.16. Полупроводниковые выпрямители обладают высокой надежностью и имеют большой срок службы. Однако они могут работать лишь в ограниченном интервале температур (от -70 до 125°С).
Свойства р-n -перехода используют для выпрямления переменного тока. На протяжении половины периода изменения тока через переход, когда потенциал полупроводника р- типа положителен, ток свободно проходит через р-n -переход. В следующую половину периода ток практически равен нулю.
???
1. Что происходит в контакте двух проводников n
- и р
-типов?
2. Что такое запирающий слой?
3. Какой переход называют прямым?
4. Для чего служит полупроводниковый диод?
Г.Я.Мякишев, Б.Б.Буховцев, Н.Н.Сотский, Физика 10 класс
Скачать календарно-тематическое планирование по физике , ответы на тесты, задания и ответы школьнику, книги и учебники , курсы учителю по физике для 10 класса
Содержание урока конспект урока опорный каркас презентация урока акселеративные методы интерактивные технологии Практика задачи и упражнения самопроверка практикумы, тренинги, кейсы, квесты домашние задания дискуссионные вопросы риторические вопросы от учеников Иллюстрации аудио-, видеоклипы и мультимедиа фотографии, картинки графики, таблицы, схемы юмор, анекдоты, приколы, комиксы притчи, поговорки, кроссворды, цитаты Дополнения рефераты статьи фишки для любознательных шпаргалки учебники основные и дополнительные словарь терминов прочие Совершенствование учебников и уроков исправление ошибок в учебнике обновление фрагмента в учебнике элементы новаторства на уроке замена устаревших знаний новыми Только для учителей идеальные уроки календарный план на год методические рекомендации программы обсуждения Интегрированные урокиЕсли у вас есть исправления или предложения к данному уроку,
«Физика - 10 класс»
Какие носители тока в полупроводнике являются основными, а какие - неосновными?
Чем отличается примесная проводимость от собственной проводимости?
Наиболее интересные явления происходят при контакте полупроводников n- и p-типов. Эти явления используются в большинстве полупроводниковых приборов.
р-n-Переход.
Рассмотрим, что будет происходить, если привести в контакт два одинаковых полупроводника, но с разным типом проводимости: слева полупроводник n-типа, а справа полупроводник р-типа (рис. 16.10).
Контакт двух полупроводников с разным типом проводимости называют р-n- или n-р-переходом .
Электроны на рисунке изображены голубыми кружочками, дырки - серыми.
В левой части много свободных электронов, а в правой их концентрация очень мала. В правой части, наоборот, много дырок, т. е. вакантных мест для электронов. Как только полупроводники приводят в контакт, начинается диффузия электронов из области с проводимостью n-типа в область с проводимостью p-типа и соответственно переход дырок в обратном направлении. Перешедшие в полупроводник p-типа электроны занимают свободные места, происходит процесс рекомбинации электронов и дырок, а попавшие в полупроводник n-типа дырки также исчезают благодаря электронам, занимающим вакантное место. Таким образом, вблизи границы раздела полупроводников с разным типом проводимости возникает слой, обеднённый носителями тока (его называют контактным слоем). Этот слой фактически представляет собой диэлектрик, его сопротивление очень велико. При этом полупроводник n-типа заряжается положительно, а полупроводник р-типа - отрицательно. В зоне контакта возникает стационарное электрическое поле напряжённостью к, препятствующее дальнейшей диффузии электронов и дырок.
Суммарное сопротивление приведённых в контакт полупроводников складывается из сопротивления полупроводника л-типа, р-n-перехода и полупроводника p-типа: R = R n + R pn + R р. Так как сопротивления областей с n- и p-типами проводимости малы (там много носителей заряда - электронов и дырок), то суммарное сопротивление определяется в основном сопротивлением р-n-перехода: R ≈ R pn .
Включим полупроводник с р-n-переходом в электрическую цепь так, чтобы потенциал полупроводника p-типа был положительным, а n-типа - отрицательным (рис. 16.11). В этом случае напряжённость внешнего поля будет направлена в сторону, противоположную напряжённости контактного слоя.
Модуль суммарной напряжённости E = E к - E внеш. Так как поле, удерживающее носители тока, ослабевает, то у электронов уже достаточно энергии, чтобы его преодолеть.
Через переход пойдёт ток, при этом он будет создан основными носителями - из области с n-типом проводимости в область с p-типом проводимости идут электроны, а из области с p-типом в область с n-типом - дырки. В этом случае р-n-переход называется прямым .
Отметим, что электрический ток идёт во всей цепи: от положительного контакта через область p-типа к р-n-переходу, затем через область n-типа к отрицательному контакту (рис. 16.12). Проводимость всего образца велика, а сопротивление мало. Чем больше подаваемое на контакт напряжение, тем больше сила тока.
Зависимость силы тока от разности потенциалов - вольт-амперная характеристика прямого перехода - изображена на рисунке (16.13) сплошной линией.
Отметим, что изменение подаваемого напряжения приводит к резкому увеличению силы тока. Так, увеличение напряжения на 0,25 В может привести к увеличению силы тока в 20 000 раз.
При прямом переходе сопротивление запирающего слоя мало, и оно также зависит от подаваемого напряжения, с увеличением которого сопротивление уменьшается.
Изменим теперь полярность подключения батареи. В этом случае напряжённости внешнего и контактного полей направлены в одну сторону (рис. 16.14) и модуль суммарной напряжённости E = E к - E внеш. Внешнее поле оттягивает электроны и дырки от контактного слоя, в результате чего он расширяется. В связи с этим у электронов уже не хватает энергии для того, чтобы преодолеть этот слой. Теперь переход через контакт осуществляется неосновными носителями, число которых мало.
Сопротивление контактного слоя очень велико. Ток через р-n-переход не идёт. Образуется так называемый запирающий слой. Такой переход называется обратным .
Вольт-амперная характеристика обратного перехода изображена на рисунке 16.13 штриховой линией.
р-n-Переход по отношению к току оказывается несимметричным: в прямом направлении сопротивление перехода значительно меньше, чем в обратном. Таким образом, р-n-переход можно использовать для выпрямления электрического тока.
Устройство, содержащее р-n-переход и способное пропускать ток в одном направлении и не пропускать в противоположном, называется полупроводниковым диодом .
Если на контакты полупроводникового диода подать переменное напряжение, то ток по цепи пойдёт только в одну сторону.
Полупроводниковые диоды изготовляют из германия, кремния, селена и других веществ.
Рассмотрим, как создают р-n- переход, используя германий, обладающий проводимостью n-типа, с небольшой добавкой донорной примеси. Этот переход не удаётся получить путём механического соединения двух полупроводников с различными типами проводимости, так как при этом получается слишком большой зазор между полупроводниками. Толщина же р-n-перехода должна быть не больше межатомных расстояний, поэтому в одну из поверхностей образца вплавляют индий. Для создания полупроводникового диода полупроводник с примесью p-типа, содержащий атомы индия, нагревается до высокой температуры. Пары примеси n-типа (например, мышьяка) осаждаются на поверхность кристалла. Вследствие диффузии они внедряются в кристалл, и на поверхности кристалла с проводимостью р-типа образуется область с электронным типом проводимости (рис. 16.15).
Для предотвращения вредных воздействий воздуха и света кристалл германия помещают в герметичный металлический корпус.
Полупроводниковые диоды применяют в детекторах приёмников для выделения сигналов низкой частоты, для защиты от неправильного подключения источника к цепи.
В светофорах используются специальные полупроводниковые диоды. При прямом подключении такого диода происходит активная рекомбинация электронов и дырок. При этом выделяется энергия в виде светового излучения.
Схематическое изображение диода приведено на рисунке 16.16. Полупроводниковые выпрямители обладают высокой надёжностью и имеют большой срок службы. Однако они могут работать лишь в ограниченном интервале температур (от -70 до 125 °С)
Транзисторы.
Ещё одно применение полупроводников с примесным типом проводимости - транзисторы - приборы, используемые для усиления электрических сигналов.
Рассмотрим один из видов транзисторов из германия или кремния с введёнными в них донорными и акцепторными примесями. Распределение примесей таково, что создаётся очень тонкая (толщиной порядка нескольких микрометров) прослойка полупроводника n-типа между двумя слоями полупроводника p-типа (рис. 16.17). Эту тонкую прослойку называют основанием или базой .
В кристалле образуются два р-n-перехода, прямые направления которых противоположны. Три вывода от областей с различными типами проводимости позволяют включать транзистор в схему, изображённую на рисунке 16.17. В данной схеме при подключении батареи Б1 левый р-n-переход является прямым . Левый полупроводник с проводимостью p-типа называют эмиттером . Если бы не было правого р-n-перехода, в цепи эмиттер - база существовал бы ток, зависящий от напряжения источников (батареи Б1 и источника переменного напряжения) и сопротивления цепи, включая малое сопротивление прямого перехода эмиттер - база.
Батарея Б2 включена так, что правый n-р-переход в схеме (см. рис. 16.17) является обратным . Правая область с проводимостью p-типа называется коллектором . Если бы не было левого р-n-перехода, сила тока в цепи коллектора была бы близка к нулю, так как сопротивление обратного перехода очень велико. При существовании же тока в левом р-n-переходе появляется ток и в цепи коллектора, причём сила тока в коллекторе лишь немного меньше силы тока в эмиттере. (Если на эмиттер подано отрицательное напряжение, то левый р-n-переход будет обратным, и ток в цепи эмиттера и в цепи коллектора будет практически отсутствовать.)
Это объясняется следующим образом. При создании напряжения между эмиттером и базой основные носители полупроводника p-типа (дырки) проникают в базу, где они являются уже неосновными носителями . Поскольку толщина базы очень мала и число основных носителей (электронов) в ней невелико, попавшие в неё дырки почти не объединяются (не рекомбинируют) с электронами базы и проникают в коллектор за счёт диффузии. Правый р-n-переход закрыт для основных носителей заряда базы - электронов, но не для дырок. В коллекторе дырки увлекаются электрическим полем и замыкают цепь. Сила тока, ответвляющегося в цепь эмиттера из базы, очень мала, так как площадь сечения базы в горизонтальной (см. рис. 16.17) плоскости много меньше сечения в вертикальной плоскости.
Сила тока в коллекторе почти равная силе тока в эмиттере, изменяется вместе с током через эмиттер. Сопротивление резистора R мало влияет на ток в коллекторе, и это сопротивление можно сделать достаточно большим. Управляя током эмиттера с помощью источника переменного напряжения, включённого в его цепь, мы получим синхронное изменение напряжения на резисторе R.
При большом сопротивлении резистора изменение напряжения на нём может в десятки тысяч раз превышать изменение напряжения сигнала в цепи эмиттера. Это означает усиление напряжения. Поэтому на нагрузке R можно получить электрические сигналы, мощность которых во много раз превышает мощность, поступающую в цепь эмиттера.
Применение транзисторов.
Современная электроника базируется на микросхемах и микропроцессорах, включающих в себя колоссальное число транзисторов.
Первая интегральная схема поступила в продажу в 1964 г. Она содержала шесть элементов - четыре транзистора и два резистора. Современные микросхемы содержат миллионы транзисторов.
Компьютеры, составленные из микросхем и микропроцессоров, фактически изменили окружающий человека мир. В настоящее время не существует ни одной области человеческой деятельности, где компьютеры не служили бы активными помощниками человека. Например, в космических исследованиях или высокотехнологичных производствах работают микропроцессоры, уровень организации которых соответствует искусственному интеллекту.
Транзисторы (рис. 16.18, 16 19) получили чрезвычайно широкое распространение в современной технике. Они заменили электронные лампы в электрических цепях научной, промышленной и бытовой аппаратуры. Портативные радиоприёмники, в которых используются такие приборы, в обиходе называются транзисторами. Преимуществом транзисторов (так же как и полупроводниковых диодов) по сравнению с электронными лампами является прежде всего отсутствие накалённого катода, потребляющего значительную мощность и требующего времени для его разогрева. Кроме того, эти приборы в десягки и сотни раз меньше по размерам и массе, чем электронные лампы.