Существуют два способа получения сигнала от фотодиода: снятие с него напряжения или тока. Для измерения напряжения схема усиления должна иметь достаточное сопротивление по переменному току, чтобы ток, протекающий через ее вход, был минимальным.

Согласно схеме на рис. 2.1,(а - напряжение; б - ток) а, фотодиод включен последовательно со входом усилителя. Цепь обратной связи состоит из резисторов R1 и R2; она позволяет напряжению на фотодиоде изменяться соизмеримо с напряжением на входе усилителя. В таком случае отношение выходного напряжения к входному будет логарифмическим, так как чувствительность фотодиода изменяется в зависимости от приложенного к нему прямого напряжения.

усилитель фотодиод излучение

Рисунок 2.1 - Выходной сигнал фотодиода

Постоянная чувствительность при постоянном приложенном напряжении позволяет сделать вывод о том, что для получения линейной зависимости выходного сигнала от световой энергии разумно использовать измерение тока. Обратная связь операционного усилителя устанавливает нулевую разность напряжений между входами, поэтому падение напряжения на диоде также равно нулю. Это обстоятельство позволяет схеме преобразователя тока в напряжение, показанной на рис. 2.1, б, обеспечивать входное сопротивление, равное

где Ku -- это коэффициент усиления операционного усилителя с разомкнутой петлей обратной связи;

R1 - резистор.

Несмотря на то, что сопротивление R1 обычно очень велико, результирующее входное сопротивление остается пренебрежимо малым по сравнению с выходным сопротивлением фотодиодов.

Ток диода в схеме преобразователя практически не течет через вход операционного усилителя, целиком направляясь к обратной связи R1: потому что на выходе усилителя напряжение равняется произведению тока фотодиода на сопротивление резистора R1. Для получения наибольшего коэффициента преобразования тока в напряжение это сопротивление должно иметь высокое номинальное значение. Недостатком является то, что оно провоцирует появление значительного температурного дрейфа напряжения (из-за температурной нестабильности входного тока усилителя). Чтобы компенсировать его, обычно к неинвертирующему входу усилителя подключают резистор R2 с таким же сопротивлением, как у резистора R1, и добавляют емкостную развязку для устранения большей части его помех. Недостатком такого способа является падение напряжения на диоде и возникающий в результате него ток утечки, который может оказаться даже

больше, чем входные токи усилителя.

Сопротивление резистора обратной связи в преобразователе почти полностью определяет уровень шума и границы полосы пропускания усилителя, а также коэффициент усиления. Шум, вносимый резистором, имеет спектральную плотность и появляется на выходе преобразователя без усиления. Отношение увеличения выходного сигнала к увеличению шума пропорционально квадратному корню из сопротивления резистора R1. Шум операционного усилителя также влияет на выходной шум, действуя через сопротивление обратной связи и емкость диода .

Источники шума в усилителе представлены на рис. 2.2 как входной шумовой ток In и входное шумовое напряжение. Шумовой ток протекает через резистор обратной связи, усиливаясь так же, как и ток сигнала. Если выбрать операционный усилитель с входным током порядка пикоампер, то эта составляющая шума будет пренебрежимо мала для используемых значений сопротивления обратной связи.

Рисунок 2.2 - Влияние емкости диода на работу цепи обратной связи в базовой схеме преобразователя

На первый взгляд, входное шумовое напряжение усилителя передается на выход с небольшим усилением. Это справедливо для постоянного тока, когда усиление, равное, сохраняется на малом уровне благодаря большому сопротивлению диода RD. Емкость диода CD, изменяя работу цепи обратной связи на высоких частотах, усиливает шумовое напряжение. Так как эта емкость и сопротивление обратной связи обычно достаточно велики, эффект может проявляться на довольно низких частотах. Иллюстрация к этому приведена на рис. 2.2, б.

С помощью вносимого ею полюса усиление устанавливается на уровне. Для больших фотодиодов CD может составлять сотни пикофарад, провоцируя возникновение шумового усиления, соответственно, в сотни раз. Это усиление распространяется в область высоких частот и ограничивается полосой пропускания операционного усилителя.

При слишком высоком коэффициенте передачи операционный усилитель самовозбуждается из-за взаимодействия с обратной связью, что приводит к возникновению искажений: выбросам на переходной характеристике, увеличению постоянной времени. Чтобы избежать этого явления, обычно применяют емкостной фильтр, ограничивающий полосу частот.

По мере увеличения сопротивления обратной связи в преобразователе тока в общем шуме сначала доминирует вклад шумового напряжения операционного усилителя, затем вклад резистора обратной связи и, наконец, происходит максимальное усиление на высоких частотах. Такие варианты оптимизации схемы, как использование большого фотодиода, должны рассматриваться с учетом его емкости и ее влияния на выходной шум и общую чувствительность схемы. Большой размер фотодиода фактически может ухудшить общую точность, и добиваться улучшения светочувствительности следует, в первую очередь, оптическими способами, например, встраивая линзу в корпус фотодиода.

Устройство слежения за движущимся источником света

• DIY или Сделай сам

Сегодня я решил написать об одном интересном проекте, которым занимался в свободное от учебы время.

Суть устройства проста - есть матрица фотодиодов (в данном случае 4, но можно и больше) которая регистрирует свет от какого-то источника, который может перемещаться. Естественно, количество света, падающее на каждый фотодиод в отдельности различно.

Устройство должно определять расположение в пространстве источника света, который перемещается.Это основная цель. То есть необходимо программно решать задачу многомерной корреляции между вектором интенсивностей и вектором местоположения источника света.

Общая схема показана на рисунке выше. В нашем случае всего 4 фотодиода. Сигнал с фотодиодов усиливается и поступает в микроконтроллер ATMega16. Микроконтроллер формирует пакет с данными и отправляет его с частотой 1 Гц по USART(COM порт). Со стороны компьютера работает программа, написанная на Lazarus (FreePascal), которая считывает с порта данные, и проводит анализ с помощью свободной нейросетевой библиотеки, затем выдает результат о местоположении источника света.

Это было краткое описание, а теперь детали.

1) Подключение фотодиодов

Здесь приведена простая схема подключения фотодиода к операционному усилителю, схема конвертера малого тока в напряжение, можно найти в любой книге по схемотехнике.

Падающий свет вызывает фототок, схема линейна (до насыщения), в отличии от схемы со смещением. Ток почти не течет в инвертирующий вход, и поэтому напряжение на выходе определяется как U=I*R1.

Очень хорошая статья про фотодиоды и усилители написана сотрудником Texas Instruments Philip C. D. HOBBS«Усилители для фотодиодов на операционных усилителях». Рекомендую всем заинтересованным.

Мной использовались высокоскоростные PIN фотодиоды, BPW34. У них не очень большой угол обзора - что было под рукой, то и использовал. Здесь подойдут почти любые фотодиоды, дело вкуса.

Красной строки требует операционный усилитель AD820. Усилитель на полевых транзисторах (FET) обладает преимуществом перед биполярными низким током утечки, поэтому в схемах-конвертерах ток-напряжение это очень важно. Также усилитель имеет Rail-to-Rail выход, то есть размах выходного напряжение может приближаться очень близко в шинам питания.
Рекомендую использовать после выхода усилителя ФНЧ (фильтр низких частот), и выбрать нужную частоту среза, чтобы было меньше шума.

2) Микроконтроллер ATMEGA16

Как я уже писал выше микроконтроллер нужен для того, чтобы оцифровывать сигналы и передавать их в порт ПК.
Здесь используется древнейший MAX232ACPE конвертер для COM порта. Сейчас я пользуюсь контроллерами с аппаратным USB, но год назад, мне схема с MAX232 казалась ну очень крутой, и я сильно радовался, когда, наконец, разобрался с ней.
Тем, у кого нет платы с COM портами придется либо собрать самому на FT232RL или купить конвертер USB-USART, которых сейчас навалом в интернетах.

Первым делом нужно организовать стабильное питание для микроконтроллера (МК). По питанию нужно всегда ставить как можно ближе к ножкам МК керамический конденсатор емкостью 0,1 uF. На рисунке между VCC и GND.

Затем нужно позаботится о тактовом сигнале.

Здесь стоит кварцевый резонатор на 8MHz (поверьте, когда я начинал, тоже думал что это так мало). Для увеличения стабильности ставят как показано на схеме пикофарадные конденсаторы. Для каждой частоты нужен свой номинал, подробности нужно смотреть в даташите (datasheet), официальном паспорте-документации на каждую ИС (интегральную схему).

Для того, чтобы МК работал без случайных сбросов, необходимо подключить через подтягивающий резистор Vcc к RESET.

Аналоговые входы PA0..7 являются портами, куда мы подаем сигналы с усилителей.
В качестве опорного напряжения для АЦП возьмем Vcc, вот так совсем не хитро.

Порты RX, TX служат для отправки и получения данных.
TTL логика и логика RS232 сильно различаются, и не могут работать напрямую, поэтому мы используем конвертер, схема подключения показана слева. Все конденсаторы, приведенные в схеме подключения конвертера керамические, и имеют номинал 0.1 uF.

3) Среда разработки и используемые библиотеки

Этот проект я делал на Lazarus IDE, компилятор FreePascal, в процессе написания мной было использовано несколько компонентов и библиотек.

• Библиотека для работы с COM-портом CportLib
• Известная библиотека FANN

Для работы с нейросетями я выбрал свободную библиотеку FANN. Думаю, что большинство знают как работают нейросетевые алгоритмы, но на всякий случай повторюсь на моем примере.

Здесь нейросеть должна вначале обучиться с учителем.

Смысл обучения состоит в том, что сеть должна подстраивать коэффициенты матриц слоев таким образом, чтобы минимизировать разницу между выходным вектором и обучающим вектором.

Каждая задача уникальна в каком-то смысле, и поэтому нет теории, которая бы говорила какого количества нейронов достаточно, чтобы решиться задачу, какую передаточную функцию следует использовать и так далее.

На этом все,
в следующий раз, как найду время - напишу продолжение в котором будут освящены такие части как:

• Получение данных от МК
• Обучение нейросети
• Анализ данных с помощью нейросети

Сигнал фотоприемника, собранного по схеме на рис.10, обычно требует преобразования для последующей обработки и регистрации.

Причина состоит в том, что сигнал формируется на сопротивлении и зависит от его величины. Но если говорить о последующей работе с ним, то рост сопротивления удаляет нас от эквивалентной схемы источника напряжения. Последний должен иметь как можно меньшее сопротивление.

Сам фотодиод представляет собой источник тока, но тоже не идеальный. Эквивалентная схема должна содержать наряду с ним параллельно сопротивление, величина которого будет зависеть от мощности регистрируемого излучения.

Выйти из этой ситуации позволяет схема, показанная на рис. 11. Это базовая схема, обычно предлагаемая для фотоприемника. Она построена на основе операционного усилителя и опирается на его свойства. При этом надо иметь ввиду, что входное сопротивление используемых для этих целей микросхем должно быть очень велики. Их входные токи составляют пико и даже фемтоамперы.

Поскольку положительный вход микросхемы соединен с землей (0 В), то и на отрицательном входе будет поддерживаться 0 В. Из-за большого входного сопротивления микросхемы сумма токов в узле, связанном с отрицательным входом микросхемы будет равна 0. Поэтому выходное напряжение U микросхемы будет выражаться формулой

U = I Ф · R ОС,

где R ОС – сопротивление обратной связи.

Рис.11. Схема фотоприемника с отрицательным смещение на фотодиоде. Операционный усилитель AD8615 .

Частотные свойства фотоприемника определяются постоянной времени τ = R ОС · C. В состав конденсатора следует включить не только емкость диода, но и монтажа.

Стоит обратить внимание на то, что многие микросхемы работают и по входу и по выходу, как rail-to-rail, то есть в диапазоне входных и выходных напряжений от одного питания до другого. Кроме того, они часто ориентированы на работу с пониженным, батарейным питанием, что создает дополнительные удобства и для работы, и для защиты от помех.

Если говорить о представленном схемотехническом решении в целом, то речь по сути идет о преобразовании сопротивления. Специально разработанные микросхемы решающие данную задачу получили название трансимпедансных усилителей.

Другая, часто встречающаяся схема для преобразования тока фотодиода в напряжение, приведена на рис.12. В этом случае на фотодиоде поддерживается напряжение равное 0 В. Так как темновой ток при этом компенсируется диффузным, он не влияет на регистрируемый сигнал, и наблюдается только фототок. Таким образом, данное решение позволяет устранить влияние на выходное напряжение темнового тока. Однако, как и прежде, частотные свойства фотоприемника, построенного по этой схеме, будут существенно хуже, чем у схемы на рис.11 .

Рис.12. Схема фотоприемника с нулевым напряжением на фотодиоде AD8541 .

4.4. Шумовые свойства фотоприемников на основе фотодиодов

Поскольку фотодиод является датчиком излучения, он и определяет исходный уровень шумов в системе регистрации.

Ток на выходе фотодиода I Ф складывается из трех составляющих.

I Ф = I ФОН + I ДЕТ + I Т,

где I ФОН – ток фонового сигнала, I ДЕТ – детектируемого ток, I Т – темновой ток.

Пренебрегая фоновой засветкой, имеем только две составляющие тока. Фундаментальным источником шумов, связанным с током, является дробовый шум (i ДР) 2 .

Его величина может быть оценена из соотношения

(i ДР) 2 = 2 · e · I · Δf,

где e - заряд электрона, I - ток, Δf - полоса приема.

Таким образом, в случае малого сигнала роль шумов темнового тока становится определяющей в определении чувствительности схемы.

Если ток протекает через активную нагрузку фотодиода величиной R L , к дробовому току добавляется тепловой шум

(U Т) 2 = 4 · k · T · R L · Δf,

где k - постоянная Больцмана, T- температура Кельвина.

Наконец, надо иметь в виду, что шумы последующих за фотодиодом устройств могут быть выше шумов фотодиода, например, шум трансимпедансного усилителя, преобразующего токовый сигнал в сигнал напряжения .

Можно воспользоваться высокоточными тонкопленочными резисторами - одиночными, или собранными в согласованные матрицы. В обоих случаях типичный допуск сопротивлений имеющихся в продаже прецизионных резисторов составляет ±0.1%, а разброс их отношений лежит в диапазоне 0.02% … 0.05%. Однако легко может оказаться, что цена таких компонентов будет доминировать в расходах на схему и окажется выше, чем у малошумящих прецизионных операционных усилителей (ОУ) с малым напряжением смещения. В этой статье представлен альтернативный подход.

В монолитные инструментальные усилители (ИУ) на трех ОУ обычно интегрированы прецизионные резисторы с лазерной подгонкой, имеющие высокую точность абсолютных и относительных значений сопротивлений элементов обратной связи первого каскада и резисторов, окружающих выходной дифференциальный усилитель. (Для примера, посмотрите характеристики или ). Полные ошибки величины и нелинейности коэффициента усиления могут составлять всего ±0.01% и ±0.001%, соответственно. Температурный коэффициент также очень мал и имеет порядок десятков ppm/K.

Обычно схема интегрального ИУ выглядит так, как изображено на Рисунке 2. Показанная конфигурация связей позволяет реализовать высокоточный преобразователь ток-напряжение с передаточным сопротивлением, зависящим лишь от сопротивлений резисторов R F входных каскадов инструментального усилителя. Действительно, видно, что если не учитывать пренебрежимо малые токи смещения инвертирующих входов усилителей OA1 и OA2, один и тот же ток фотодиода I PH течет только через два резистора обратной связи R F . Поскольку выводы IN+ и IN- подключены к земле, напряжения на входах дифференциального усилителя OA3 будут равны R F × I PH и -R F × I PH . Выходное напряжение V O инструментального усилителя равно:

V O = 2 × R F × I PH (1)

где I PH - фототок фотодиода.

Когда ток I PH течет в направлении, указанном стрелкой на Рисунке 2, выходное напряжение V O будет положительным.

Если для работы фотодиода требуется напряжение смещения, компонент может быть подключен между выводами G1 и G2 с полярностью, противоположной по отношению к показанной на Рисунке 2. При этом напряжение смещения V BIAS может быть приложено к входу IN- усилителя OA1, находящемуся практически под тем же потенциалом, который поддерживается усилителем OA1 на катоде детектора. Если это же напряжение приложено к входу REF инструментального усилителя, Уравнение (1) все равно остается справедливым, хотя при этом необходимо учитывать допустимую амплитуду синфазного напряжения на входах инструментального усилителя.

В типичном случае выходное напряжение V O схемы изменяется в диапазоне от нескольких милливольт до нескольких вольт. Коэффициент усиления схемы фиксирован, но для многих приложений это не имеет значения. Если же потребуется обойти это ограничение, после схемы на Рисунке 2 можно дополнительно включить прецизионный усилитель с программируемым усилением, например, .

Можно с уверенностью констатировать тот факт, что время, когда только несколько крупнейших производителей смартфонов могли гарантировать наличие в своих продуктах высокого качества, уже прошло. Любому человеку, рядовому пользователю и опытному эксперту, будет не трудно сделать соответствующие выводы, если он внимательно ознакомится с современными китайскими производителями. Чтобы подтвердить данное утверждение фактами, лучше всего использовать в качестве примера новинку, которая была приобретена недавно мной в российском филиале известной торговой площадки aliexpress.com.

Общие параметры и комплектация

Первые минуты ознакомления с этим аппаратом не удивляют. Он поставляется в знакомой по предыдущим моделям от этого же производителя коробке. Она создана из вторичного сырья, что экономично и является определенной данью моде. С другой стороны, ее прочность и добротность не вызывают никаких нареканий.

В стандартную комплектацию включены только основные устройства и аксессуары. Здесь, помимо самого смартфона, есть приспособление для открытия лотка, зарядное устройство, соединительный кабель для работы с компьютером (MicroUSB – USB), пара брошюр с инструкциями. Плоскую вилку надо обязательно дополнить переходником для подключения к отечественным розеткам. При отсутствии оригинального приспособления заменить SIM карту будет не трудно с помощью обычной скрепки.

Не надо быть специалистом, чтобы определить сразу, что при создании данного аппарата, многие решения были «подсмотрены» у Apple. Внешнее сходство с iPhone очевидно, но сразу отметим, что данный аппарат не является копией. Новый планшет этой же марки, слишком похож на Apple iPhone 5C. Впрочем, обвинений в плагиате не последует, ведь это – разные мобильные устройства.

Вернемся к основной теме статьи. Xiaomi Mi4, все же действительно оригинален. Чтобы убедиться в этом, изучим подробнее его детали.

Рамка, его создана из нержавеющей стали. На этом видео вы можете увидеть особенности процесса производства.

Этот материал хорошо иллюстрирует, что к качеству своих изделий данная компания относится чрезвычайно серьезно. Такой материал обеспечивает высокую прочность корпуса. Он устойчив к самым разным видам внешних воздействий, выглядит солидно и сохранит идеальные эстетические параметры даже после нескольких лет интенсивной эксплуатации. Отметим, все же, что в модели черного цвета данный элемент покрыт слоем краски. Целостность такого слоя может быть нарушена со временем.

На этих фотографиях приведены только некоторые примеры возможного оформления задней крышки. Сменные панели – это одна из главных особенностей данной модели. С их помощью можно будет действительно преобразить внешний вид смартфона.

Интересно и то, что некоторые крышки будут изготовлены в виде имитации, из пластика. При изготовлении иных планируется использовать натуральные породы древесины.

Впрочем, пока доступны только белый и черный варианты оформления. Если присмотреться, то на светлой крышке под прозрачным слоем можно разглядеть миниатюрные ромбики.

На этих фотографиях видно, что слот для карточек SIM создан из металла, очень точно. Его подгонка к корпусу даже лучше, чем в подобном аппарате от Apple. Здесь не будут скапливаться загрязнения.

Кнопки управления, решетка основного динамика, порт USB – эти и другие детали выглядят добротно даже при их увеличении и очень внимательном исследовании. Отмечу сразу, что некоторые функции элементов управления могут быть изменены пользователем. Допустимо, например, с использованием клавиши громкости включать аппарат.

Общее впечатление добротности гармонично дополнено удобными для пользователей габаритами и относительно небольшим весом.

Для сравнения приведу таблицу с параметрами иных смартфонов:

Из нее видно, что данный аппарат обладает относительно небольшой шириной корпуса. Это значит, что с ним будет комфортно работать одной рукой.

Основные аппаратные параметры и программное обеспечение

Процессор SoC Qualcomm Snapdragon 801 (MSM8274AC), четыре ядра Krait 400, 300, тактовая частота 2,5 ГГц. На данной платформе созданы самые мощные модели смартфонов LG и HTC, Samsung и Oppo, Sony и ZTE. Их производительность настолько велика, что в большинстве случаев она даже превышает современные потребности. Данный факт свидетельствует о том, что приобретение Xiaomi Mi4 является отличной инвестицией. Такая техника в течение нескольких лет не устареет. Она будет достойно работать с «тяжелыми» приложениями без прерываний, образования артефактов и иных искажений.

Операционная система Android 4.4.2, оригинальная фирменная прошивка MIUI. В первых версиях смартфонов устанавливалась пятая версия MIUI, а сейчас предлагается шестая. Эта прошивка обеспечивает хорошую скорость по сравнению со стандартной ОС. Особенно хороши расширенные настройки, которые пригодятся для подстройки аппарата под нужды и пристрастия конкретного пользователя.

Единственным ограничением является то, что в штатных программах поддерживается отображение интерфейса только на китайском и английском языках.

Оперативной памяти 3 ГБ вполне достаточно для того, чтобы самые сложные программы обрабатывались быстро, без задержек. Внутренняя память предлагается только в двух вариантах, 16 или 64 ГБ. Ее нельзя расширить с помощью SD или microSD. Проблему можно решить, если использовать подключение внешней флэш памяти с помощью поддерживаемой технологии USB OTG.

Надо также не забывать о том, что достаточно много места, около 4 ГБ занимает стандартное программное обеспечение, устанавливаемое серийно.

Выше уже было отмечено, что производительность данного процессора очень велика. Для экономии электроэнергии он может быть переведен в специальный, сбалансированный режим.

В этом режиме техника начинает работать с использованием пониженных частот (от 300 до 1 500 Мгц). Данный производитель не реализовал в своем устройстве специальный экономичный режим, который предусмотрен создателями процессора. При изучении параметров специализированных тестов можно выяснить, что при использовании максимальных настроек данная техника полностью соответствует параметрам лучших смартфонов высшего класса. Установка сбалансированного режима ухудшает показатели. Однако отмечу особо, что подобных настроек вполне достаточно для решения большинства практических задач. Мощности аппаратной части хватит для работы офисных приложений и современных игр, просмотра видео материалов в формате 4К.

Звук и экран, камера, технические особенности

Сенсорный дисплей создан по технологии IPS, что подтверждает следующий микроснимок:

Его диаметр составляет 5″. Разрешение 1920×1080 при таких размерах обеспечивает неразличимое человеческим глазом количество точек на дюйм, 440 ppi.

Связь первых моделей поддерживалась только для стандартов 2G GSM 850, 900, 1800, 1900 МГц, 3G WCDMA 850, 900, 1900, 2100 МГц. Осенью 2014 года анонсирован выпуск моделей, которые могут работать со стандартами 4G и LTE.

Скоростной и экономичный Bluetooth 4.0 пригодится для подключения гарнитуры, подсоединения к иным смартфонам и устройствам.

Этот аппарат оснащен блоком Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac, (частоты 2,4 и 5 ГГц). Он способен при использовании наиболее современного стандарта, ac, передавать работать со скоростями 220 и 120 Мбит в секунду (при передаче и приеме соответственно).

В смартфоне Xiaomi Mi4 установлены также следующие узлы: GPS, AGPS, Глонасс, гироскоп, компас, акселерометр, датчики давления и температуры, передатчик ИК.

Встроенное радио работает в диапазоне FM. Оно обладает высокой чувствительностью и селективностью, хорошо принимает сигнал при наличии сильных помех, в городских условиях.

Фирменная операционная система позволяет при необходимости отключать функцию оповещения приложений о местоположении мобильного устройства.

Основная камера оснащена чувствительным сенсором от Sony. Снимки можно создавать с высоким разрешением, до 4 208 на 3 120 точек (13 Мп). Автоматическая фокусировка пригодится для быстрого наведения резкости. В темное время суток можно использовать LED-вспышку.

Фронтальная камера 8 Мп вполне пригодна не только для разговоров по видеосвязи. Ее параметры достаточны для создания качественных снимков селфи.

Особо надо упомянуть наличие функции, которая автоматически производит определение лиц на изображении с указанием пола персонажа и его возраста.

Практическое использование и время автономной работы, дополнительные возможности

Емкости установленной в смартфон батареи, 3 080 мА*ч хватит для интенсивной работы в течение суток. Данная модель поддерживает Qualcomm Quick Charge 2.0. Эта технология используется для более быстрого, по сравнению с обычными методиками, заряда аккумуляторов. Потребляемая при этом мощность способна достигнуть 60-ти Ватт. При этом производитель утверждает, что 50% заряда батареи хватит менее получаса.

Для увеличения времени автономной работы пригодится применение упомянутого выше режима оптимальной загрузки процессора. Его параметров будет достаточно для стабильной работы большинства современных программ и приложений. Не надо забывать также о корректных пользовательских настройках, возможности автоматического изменения яркости экрана в зависимости от интенсивности внешнего освещения.

Представленные на данном снимке браслеты Xiaomi MiBand предназначены для использования вместе со смартфоном данной модели. Они помогут подсчитать количество шагов и пройденное расстояние. Встроенные в них устройства оповестят владельца о разных событиях, поступивших сообщениях и других. Чтобы выполнить разблокировку Xiaomi Mi4 к его экрану достаточно поднести руку с таким браслетом на запястье. Такое устройство способно работать без подзарядки до 30-ти дней. Оно безотказно функционирует в широком диапазоне температур.

Смартфон Xiaomi Mi4 вполне заслуживает того, чтобы его оценить, как качественное мобильное устройство, полностью соответствующее современным требованиям, которые предъявляются к соответствующей группе технических продуктов. В нем есть мощный процессор и отменный экран, много других деталей и характеристик, которые ассоциируются с аппаратами топ уровня.

Единственное, что может вызвать некоторые затруднения, это процесс приобретения данной модели. Дело в том, что пока этот производитель работает для удовлетворения потребностей китайского рынка. Именно с этим связана некоторая ограниченность языковой поддержки. Впрочем, данная проблема решается быстро, если правильно выбрать торговое предприятие, с учетом его репутации и реальных возможностей.

Чтобы купить новейшую модель смартфона без переплат, не стоит обращаться к отечественным перекупщикам. Удобно и выгодно производить соответствующий заказ с помощью . Здесь все необходимые действия можно сделать самостоятельно, без посторонней помощи. Достаточно большой срок доставки, около месяца, окупится вполне. С помощью этого ресурса можно приобрести оригинальный Xiaomi Mi4 по разумной стоимости, с надежной гарантией, выбрав удобный для себя способ оплаты. Кстати, там же по невысоким ценам предлагаются самые разные дополнения и аксессуары к данной модели смартфона.